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作者: sxs112.tw
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[儲存裝置] SK Hynix在相變儲存晶片技術上獲得突破

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sxs112.tw 發表於 2021-2-4 10:57:46 | 只看該作者 |只看大圖 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
去年底Intel宣布將旗下的NAND業務以600億元的價格賣給了SK Hynix，但是Optane硬碟業務沒賣，採用3D Xpoint技術的Optane是Intel的王牌。Intel官方一直沒公佈過Optane的技術細節，業界公認這是採用下一代儲存晶片——PCM相變儲存技術，它擁有NAND那樣的大容量、斷電不損失數據的優點，同時也擁有DRAM類似的性能及可靠性，整體表現介於二者之間。
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其他公司也在開發類似的相變儲存技術，日前SK Hynix宣布他們在下一代相變儲存晶片中獲得了重要突破，首次應用了PUC（peri under cell）技術，全新開發的算法使得相變儲存在性能及成本上都極具競爭力。

SK Hynix團隊負責人Lee Hyung-dong表示，PUC技術將外圍電路放在儲存單元的下方，以減少晶片尺寸，提高生產率。與10nm以下的儲存晶片相比，PRAM在擴擴充面的限制較少。不過SK Hynix雖然在技術層面上的突破使得他們的下一代儲存晶片有可能跟Optane一教高下，但是他們並沒有給出量產時間，看樣子還要等很長時間，在這一點上Optane依然是無敵的。

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