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作者: 插最快
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[業界新聞] 美光發佈全球首顆手機3D快閃記憶體:容量32GB,採UFS2.1標準

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插最快 發表於 2016-8-10 14:52:09 | 顯示全部樓層 |閱讀模式
TLC SSD越來越多用上了3D快閃記憶體技術,現在美光將它帶到了智慧手機領域。美光今天宣佈了全球第一個基於UFS2.1存儲標準的手機3D-NAND解決方案,容量為32GB。

3D-NAND好處有三點:提高壽命、做大容量(TB不是夢)、改善性能。由於3D-NAND走的是垂直發展,美光稱自己做到了60.217mm²的Die面積,一方面減少了對平面空間的佔用(30%),另一方面將立體空間利用起來,這對於智慧手機提高容量、集成更多元件(比如電池)具有很重要的意義。另外,美光配套開發了新的MCP多晶片封裝技術,支援LPDDR4X,這比LPDDR4還要省電20%。UFS2.1其實就是HS-G3,讀取速度達到1.5GB/s,寫入接近500MB/s,是目前UFS 2.0的2倍。

美光發佈全球首顆手機3D快閃記憶體:容量32GB,採UFS2.1標準 - XFastest - micron.jpg


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