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作者: sxs112.tw
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[業界新聞] 2017年中國將推自主生產3D NAND快閃記憶體,32層堆棧

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sxs112.tw 發表於 2016-10-19 21:25:49 | 顯示全部樓層 |閱讀模式
由於智慧手機、SSD市場需求強烈,快閃記憶體、記憶體等儲存晶片最近都在漲價,這也給了中國公司介入儲存晶片市場的機遇。在中國發展半導體產業的規劃中,儲存晶片是最優先的,也是全國各地都爭著上馬的項目,其中國家級的儲存晶片基地在武漢,投資超過240億美元,之前是新芯科技主導,現在已經變成了紫光公司主導,預計2017年正式推出自主生產的3D NAND快閃記憶體,而且是32層堆棧的,起點不算低。
2017年中國將推自主生產3D NAND快閃記憶體,32層堆棧 - XFastest - 3dnand_017.jpg
今年7月份的時候,紫光公司收購了新芯科技公司多數股份,成立了武漢長江儲存科技有限公司(簡稱TRST),紫光公司控股一半多,董事長趙偉國也將擔任長江科技公司的董事長,這個項目就變成了紫光公司主導了——當初收購美光的夢想無法實現,收購WD的事也黃了,不過紫光現在總算可以正式進軍儲存晶片領域了。

Digitimes援引業界消息稱,長江儲存公司最快2017年底正式推出3D NAND快閃記憶體,32層堆棧結構,也就是說明年我們就有可能看到真正中國的快閃記憶體晶片了。

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