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作者: wu.hn8401
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[儲存裝置] 對抗3D XPooint快閃記憶體的三星Z-SSD硬碟:Z-NAND快閃記憶體,最高4TB

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wu.hn8401 發表於 2017-3-18 11:19:14 | 顯示全部樓層 |閱讀模式
Intel要用3D XPpoint快閃記憶體革了NAND快閃記憶體的命,市場一哥三星自然也不能坐視不管,他們也有自己的殺手鐧——Z-SSD系列,它將使用全新的Z-NAND快閃記憶體,硬碟容量可達4TB。

對抗3D XPooint快閃記憶體的三星Z-SSD硬碟:Z-NAND快閃記憶體,最高4TB - XFastest - sm-zssd_1.jpg

三星的Z-SSD系列硬碟將使用新型的Z-NAND快閃記憶體

實際上Intel的3D XPpoint公佈沒多久,三星就在去年的FMS快閃記憶體會議上公開過Z-SSD系列硬碟,號稱性能超越了現有NAND快閃記憶體極限,不過三星沒有給出具體指標,只說其性能比PM963更強,延遲低了4倍,讀取速度是後者的1.6倍。

當時宣傳資料說Z-SSD系列會使用第四代V-NAND,也就是64層堆疊的V-NAND快閃記憶體,不過這種快閃記憶體跟普通NAND快閃記憶體也有不同,三星用了Z-NAND的新名字命名,它的特性介於DRAM記憶體和NAND快閃記憶體之間,也就是說性能比NAND快閃記憶體更強,但比DRAM又有非易失性的特點,聽上去就跟Intel的3D XPoint快閃記憶體很相似。

三星去年公佈的Z-SSD並沒有具體實物,Anandtech網站報導稱在Cloud Expo歐洲展上,三星展示了一款Z-SSD硬碟,如上圖所示。這款硬碟使用的是PCI-E 3.0 x4介面,容量800GB,連續讀寫速度可達3.2GB/s,隨機讀寫可達75萬、16萬IOPS,延遲(原文推測具體是指讀取延遲)比NVMe硬碟低了70%,這可能是得益於新的Z-NAND快閃記憶體,也可能是因為新的主控。

對抗3D XPooint快閃記憶體的三星Z-SSD硬碟:Z-NAND快閃記憶體,最高4TB - XFastest - sm-zssd_3.jpg

三星Z-SSD硬碟性能比NAND快閃記憶體硬碟好得多

他們從三星處得知Z-SSD硬碟具備比普通NAND硬碟高得多的耐用性,特別是每cell單元存儲更少的資料時——這裡大概是說Z-SSD正常可能也是TLC(3bit per cell)類型的,但也可以使用MLC類型(2bit per cell),這時候的使用壽命會更高。

至於這個全新的Z-NAND快閃記憶體,三星還是沒有公佈具體細節,但綜合此前的消息來看,Z-NAND快閃記憶體應該是在V-NAND快閃記憶體上進行結構改進的產物,官方表示它有獨特的電路設計,配套的主控也是改進過的,所以性能比普通NAND快閃記憶體好得多,延遲低得多。

三星到Z-NAND快閃記憶體顯然有跟Intel 3D XPoint快閃記憶體叫板的資格,至於Z-NAND快閃記憶體是不是也跟後者一樣是全新技術就不好說了,因為Intel迄今也沒有公佈過3D XPoint快閃記憶體原理,之前分析認為的PCM相變快閃記憶體等說法只是猜測。

對抗3D XPooint快閃記憶體的三星Z-SSD硬碟:Z-NAND快閃記憶體,最高4TB - XFastest - sm-zssd_2.jpg

三星表態Z-SSD系列硬碟容量可達2TB、4TB,只不過目前展示這款容量還是800GB的,不過算上OP空間,它實際上很可能是1TB容量的。作為對比的是,Intel在消費級、企業級提供的Optane硬碟目前分別是16-32GB、375GB,至少在容量上三星的Z-NAND快閃記憶體會勝出。

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