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作者: sxs112.tw
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[業界新聞] 三星制定DRAM發展藍圖,15nm是製程微縮極限

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sxs112.tw 發表於 2017-4-18 19:53:39 | 顯示全部樓層 |閱讀模式
三星電子為了鞏固儲存器霸業,制定DRAM 發展藍圖,擘劃製程微縮進度。業界預估15nm可能是DRAM 製程微縮的極限,擔憂三星遭中國業者追上。韓媒etnews 18 日報導,業界消息稱,三星去年開始量產18nmDRAM,目前正研發17nmDRAM,預定今年底完成開發、明年量產。
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與此同時,三星也成立16nmDRAM 開發小組,目標最快2020 年量產。相關人士透露,微縮難度高,2020 年量產時間可能延後。三星從20nm製程(28→25→20),轉進10 nm製程(18→17),縮小線寬(Line-width)的速度明顯放緩。三星尚未成立15nm製程以下的研發團隊,因為由此開始,電流外洩和電容器干擾和情況將更為明顯,需要開發新的材質。

三星設備解決方案部門的半導體實驗室人員Jung Eun-seung 說,為了繼續縮小線寬,必須開發與當前不同的新材質,並提高製程穩定性,以便進入量產。業界人士估計,15 nm或許是製程微縮的極限,未來三星可能難以透過製程微縮拉大與對手差距,並擔憂中國業者急起直追,趕上三星。

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