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作者: sxs112.tw
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[記憶體 卡 碟] 三星加速量產64層V-NAND快閃記憶體:提昇50%速度,節能30%

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sxs112.tw 發表於 2017-6-15 14:42:50 | 顯示全部樓層 |閱讀模式
從去年下半年開始的NAND快閃記憶體缺貨、漲價已經持續一整年了。2017年也是3D NAND快閃記憶體超越2D NAND成為主流的關鍵,堆棧層數也從去年的32層、48層提升到了64層、72層。三星是最早量產64層堆棧3D NAND快閃記憶體的,現在官方又宣布64層256Gbi容量的V-NAND快閃記憶體正在加速量產,性能比前代48層V-NAND提升50%,能耗也降低了30 %,生產率也提升了30%。
三星加速量產64層V-NAND快閃記憶體:提昇50%速度,節能30% - XFastest - v-nand.jpg
三星去年底就開始量產64層V-NAND快閃記憶體了,除了韓國本土的工廠,中國西安市的NAND晶圓廠也是三星最重要的產地之一。今年1月份三星開始正式出貨64層堆棧快閃記憶體的SSD,2017年上半年產能還在繼續提升,三星現在宣布大規模量產64層V-NAND快閃記憶體跟三星位於韓國的平澤工廠正式完工有關,這是三星2015年144億美元半導體投資的一部分,號稱全球最大的半導體工廠,今年7月份正式量產,未來將佔據三星NAND產能的10-20%。

與WD、Toshiba宣布的64層堆棧BiCS TLC類型快閃記憶體核心容量達到512Gb不同,三星現在的64層V-NAND快閃記憶體TLC(3 bit)類型快閃記憶體容量還是256Gb的,不過接口速率達到了1Gbps,比早前曝光的800Mbs還要高。三星官方稱64層V-NAND快閃記憶體的性能比三星之前48層堆棧的256Gb TLC快閃記憶體快了50%。

除了性能之外,64層V-NAND快閃記憶體能效也有所提升,輸入電壓從48層V-NAND的3.3V降至2.5V,能效提升了30%,此外可靠性也提升了20%。此外,64層V-NAND快閃記憶體的生產效率也提升了30%。在64層V-NAND快閃記憶體的基礎上,三星還在開發更先進的3D快閃記憶體,下一步目標是堆棧90層以上,早前傳聞說是96層堆棧。

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