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作者: White
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[活動/消息] 東芝針對行動裝置和消費應用推出業界領先小型封裝N-channel MOSFET驅動IC

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White 發表於 2017-10-24 14:10:35 | 顯示全部樓層 |閱讀模式

內建保護功能並適合快速充電和其他大電流電源應用

東芝針對行動裝置和消費應用推出業界領先小型封裝N-channel MOSFET驅動IC - XFastest - Toshiba.jpg

東芝電子元件及儲存裝置株式會社今日(9月28日)宣布推出兩款TCK401G(高電位作動[1])和TCK402G(低電位作動[2])N-channel MOSFET驅動IC,該產品支援最高可達28V的輸入電壓,適合快速充電和需要大電流電源的其他應用。新MOSFET驅動IC的量產出貨即日啟動。
此兩款IC具備多種內建保護功能,包括過壓保護、浪湧電流抑制和自動輸出放電功能,但依然採用業界領先的WCSP6E小型封裝,尺寸為0.8mm × 1.2mm × 0.55mm(標準值)[3]。
可利用一個配有外部N-channel MOSFET的驅動器實現高效率電源電路,其中該MOSFET具備適合於目標應用的最大額定電壓和導通電阻。例如,新型MOSFET驅動器和低導通電阻SSM6K513NU MOSFET相結合適合於行動裝置和消費應用,其可在較小空間內建構100W等級電源電路。

應用領域
行動裝置
消費型設備

產品特點
低靜態電流: IB(ON1) = 0.34μA(標準值)
高紋波抑制比: R.R.= 70dB(標準值)
高速負載暫態回應: ⊿VOUT = 60mV(標準值)


主要規格
東芝針對行動裝置和消費應用推出業界領先小型封裝N-channel MOSFET驅動IC - XFastest - 20171024-1.png

備註:
[1] 當模式控制輸入端子處於高態時,則外部MOSFET導通。當模式控制輸入端子處於低態時,則外部MOSFET關斷。
[2] 當模式控制輸入端子處於低態時,則外部MOSFET導通。當模式控制輸入端子處於高態時,則外部MOSFET關斷。
[3] 一種N通道MOSFET驅動IC,截至2017年9月27日。東芝電子元件及儲存裝置株式會社調查。
[4] 自VCT達到VIH值一半之時起,VGATE達到規定值所耗時間。

東芝網站:http://toshiba.semicon-storage.com/tw/top.html


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