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作者: sxs112.tw
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[儲存裝置] 比UFS 2.1性能還強,UFS 3.0正式發布:2.9GB/s

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sxs112.tw 發表於 2018-1-31 13:40:01 | 顯示全部樓層 |閱讀模式
1月31日上午消息,固態技術協會(JEDEC)發布了Universal Flash Storage (UFS&UFSHCI,通用快閃記憶體儲存) v3.0標準(JESD220D、JESD223D),和UFS記憶卡v1.1標準(JESD220-2A)。簡單來說,UFS 3.0引入了HS-G4規範,單通道頻寬提升到11.6Gbps,是HS-G3(UFS 2.1)性能的2倍。
比UFS 2.1性能還強,UFS 3.0正式發布:2.9GB/s - XFastest - ufs-standard-3.jpg
由於UFS的最大優勢就是雙通道雙向讀寫,所以接口頻寬最高23.2Gbps,也就是2.9GB/s。互聯層設計方面,嚴格遵守MIPI(行動產業處理器接口)的規範協議,其中物理層依據MIPI M-PHY v4.1,傳輸層依據MIPI UniProSM v1.8。其它方面UFS 3.0支援的分區增多(UFS 2.1是8個),糾錯性能提升,電壓2.5V,支援最新的NANG Flash介質。針對工業領域如汽車自動駕駛,工作溫度零下40攝氏度到高溫105攝氏度。

至於UFSHCI v3.0規範則針對控制器廠商參考,用於簡化通行設計。至於UFS記憶卡v1.1,則實現了對HS-Gear1/2/3的全部相容,這樣儲存速度就達到最高1.5GB/s。另外三星已經宣布,將在2018年第一季首發推出UFS 3.0的產品。由於驍龍845、Exynos 9810等尚無證據支援UFS 3.0,所以是否對應Galaxy S9終端或者僅僅是控制器、快閃記憶體這類零部件,暫不得而知。

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