SK Hynix設計出世界上首個高密度的8 Gb LPDDR3記憶體
SK Hynix公司宣布，它已經開發出了世界上第一個利用先進的20mm製程設計出 8 Gb(Gigabit) LPDDR3 (Low Power DDR3) 記憶體。此產品是最佳的攜帶式儲存方案，具有高密度，超高速和低功耗和可堆疊的新產品，可以實現在單一封裝提供最大4 GB(Gigabytes, 32 Gb) 的容量。該產品的頻率運行在2133Mbps，比起現有的1600Mbps高出了不少，其數據傳輸速度方面是世界上最快的攜帶式DRAM。隨著一個32位元的I/O處理在單通道可以提供8.5GB的頻寬，在雙通道可以達到17GB。另外他的工作電壓為為1.2V。 雖然這個新的LPDDR3比LPDDR2快兩倍，但其待機功耗降低10％以上。
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