三星量產業界第一款3D垂直NAND快閃記憶體，消費電子將受益
三星新近宣布他們突破了現有NAND快閃記憶體技術的規模限制，開始量產業界第一款3D垂直NAND（V-NAND）快閃記憶體。
隨著性能和面積比方面的提升，新的3D垂直NAND快閃記憶體將大範圍應用於消費電子和企業應用方面，包括嵌入式NAND存儲和SSD 固態硬碟。新的3D垂直NAND快閃記憶體可以在0單個芯片上實現128Gb的容量。它使用了三星的垂直cell結構，該結構基於3D CTF（Charge Trap Flash）技術和垂直堆疊製程技術。得益於此，新產品可以提供超過兩倍於20納米平面NAND快閃記憶體的容量。
三星表示新技術令產品的可靠性為上一代的2至10倍，寫入速度可以達到原來的2倍，單個芯片可以包含24層堆疊cell單元。
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