三星率先推出8Gb LPDDR4記憶體，將與64位Exynos搭配
該記憶體晶片採用三星20nm製程（可能是21nm），每die最大容量可達1GB，此外還採用與JEDEC合作制定的低電壓擺幅終止邏輯LVSTL I/O界面，每pin傳輸速度高 達3200Mbps，比自家20nm的LP DDR3快了50%。此外其電壓僅為1.1V，功耗僅為LPDDR3的40%。三星8Gb LPDDR4將會在明年開始用於高階智慧手機上，可能會和CES 2014亮相的64位Exynos Octa處理器搭配使用。值得一提的是，此前三星電子也是業內首家提供3GB LPDDR3記憶體方案（6Gb×4die）的廠商。
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