TSMC情何以堪，三星公佈首個10nm FinFET技術
三星在14nm FinFET製程上打了個漂亮的翻身仗，在TSMC的16nm FinFET製程遲遲不能量產之時，三星去年底已經量產了14nm FinFET製程，還獲得了蘋果、高通等公司的訂單。不出意外的話，下月初發布的Galaxy S6手機將會配備14nm製程的Exynos 7420處理器。三星不僅在14nm製程上領先了，10nm FinFET製程也不遠了。在本週的ISSCC會議上，三星半導體業務總裁金己男（Kim Ki-nam）在主題報告中展示三星正在開發的10nm製程，這是全球首個針對移動芯片開發的10nm FinFET技術。不過他並沒有提到10nm FinFET製程藝的具體細節，預計該製程會在2016年底到2017年期間問世，進度跟Intel的10nm 3D晶體管製程差不多了。
此外，10nm製程之後還會進入7nm及5nm節點，由於晶體管變得越來越薄，金己男表示7nm之後人們應該會使用新一代的晶體管結構，比如GAA FinFET（gate-all-around，全環柵）技術，這種晶體管會有2-4個等效柵極，它不僅可以使用矽基材料製作，還可以使用InGaAs銦鎵砷材料製造。
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