日本 Elpida 宣佈 50nm 製程 DDR3 開發終了
消息來源︰https://journal.mycom.co.jp/news/2008/11/26/020/index.html
今天，日本DRAM半導體晶片製造廠商Elpida（爾必達）發佈公告稱
其50nm制程的DDR3記憶體顆粒已經研製完成。
50nm制程的DDR3記憶體顆粒能夠在更低的電壓下達到更高的傳輸速度
功耗也降低不少，其基本電壓為1.2V，速度為2.5Gbps。
該50nm制程的DDR3顆粒採用了其銅互連技術
以及業界最先進的193nm（ArF）浸入式光刻技術製作。
晶片面積小於40mm2，工作電壓可設定為1.2V、1.35V或1.5V，頻率最高可達到2500MHz。
Elpida將會在2009年第一季度大規模生產50nm制程的DDR3記憶體顆粒。
50nm 製造 SDRAM︰
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