三星量產全球首個單條128GB DDR4記憶體：還是3D的
2014年8月底，三星電子宣布量產全球第一款採用3D TSV立體矽穿孔封裝技術打造的DDR4記憶體，單條容量高達64GB。一年多後，三星將這一容量翻了一番，開始量產128GB TSV DDR4記憶體。新記憶體依然是針對企業級伺服器市場的RDIMM類型，使用了多達144顆DDR4記憶體晶片，每一顆容量8Gb(1GB)，然後每四顆晶片利用TSV技術緊密封裝在一起，總計36個組，分佈在記憶體兩側。製程是三星最先進的20nm，起步頻率2400MHz，接下來將逐步提升到2667MHz、3200MHz。另外，三星還會把TSV矽穿孔技術應用到HBM高頻寬記憶體中。
消息來源
頁:
[1]