美光宣佈GDDR5X顯存早期進展順利：今夏轉入大規模生產
美光科技於今日發表了一篇有關量產GDDR5X晶片的早期報告，並欣喜地表示晶圓方面的進展早於預期，因為這部分有效矽晶片的速率已達到13GB/s（高端GDDR5X規格在10到14Gb/s之間），有些令人難以置信。美光首批GDDR5X晶片採用了20nm制程，單顆容量為8Gb（1GB），預計會在今年夏季進入大規模生產階段（樣產時間為晚春時分）。儘管JEDEC幾周前才宣佈了GDDR5X顯存晶片的標準，但美光表示，我們有望很快看到速率達到了14GB/s的GDDR5X晶片。
[編譯自：TechReport , 來源：Micron]
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