三星成為全球首家量產10nm級記憶體的公司
三星電子今天宣布，已經在全球範圍內第一家實現了10nm級別製程DDR4 DRAM記憶體顆粒的量產，也是繼2014年首個量產20nm DDR3記憶體顆粒後的又一壯舉。三星沒有披露新製程的具體數字，只是模糊地稱之為10nm級別或者1xnm，而根據韓國媒體此前報導，三星用的是18nm，繼續領先SK海力士、美光等對手。三星表示，新製程克服了DRAM行業中的大量技術挑戰，包括獨有的單元設計技術、四重曝光技術(QPT)、超薄介質層沉積技術等等，而且依然使用了已有的氟化氬沉浸式光刻工藝，並未啟用昂貴且不成熟的EUV極紫外光刻。新的1xnm DDR4記憶體顆粒單顆容量8Gb(1GB)，頻率高達3200MHz，相比於20nm製程下的DDR4-2400性能可提升30％，同時同等頻率下功耗降低10-20％，PC、主流伺服器、大型企業網路、高性能計算系統中都有廣闊的前景，單條容量最大可做到128GB。
今年晚些時候，三星還會使用新製程生產新的行動用DRAM記憶體顆粒，針對智慧手機和平板機領域。隨著新製程的到來、產能的擴大，以及PC需求的下降、手機需求的增長減緩，記憶體價格將在今年出現大幅度下滑，下半年至少會降20-30％，最多可達40％。三星18nm加入戰局，必然會進一步刺激價格走低。
消息來源
頁:
[1]