三星率先實現10nm DRAM晶片量產 年內上市
Engadget中文站 4月6日報導
英特爾的10nm CPU雖然被延期，但三星的10nm級DRAM晶片已經可供使用了。這家韓國廠商日前宣佈，他們已經先於SK海力士和鎂光實現了10nm DDR4晶片的量產。
三星表示，他們將在今年生產SIMM模組，容量從4GB到最高128GB不等。此外，他們還稱將在“近期”推出10nm移動DRAM。
三星在去年發佈了用於固態硬碟和其他存儲產品的10nm NAND快閃記憶體，但將DRAM縮小至如此的尺寸要更加困難。這是因為記憶體的不穩定性需要電容器伴隨著電晶體存在，也就是所又有這些元件都需要進行縮小。除此之外，三星還必須“在幾十納米寬的電晶體上堆疊極窄的圓柱形電容器以存儲大電荷，從而創造超過80億個單元”。如此一來，製作難度又被提高了好幾倍。
為了實現生產，三星改良了自己的四重圖形技術（最早用於NAND快閃記憶體），用光刻曝光來增加晶片功能的解析度，並最終把晶片速度和能效都提高了20%（和20nm RAM相比）。雖然這種RAM將率先面向筆記本推出，但桌上型電腦用戶在今年年底之前應該也能買到採用相同技術的產品。
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