三星將推100層以上堆疊的1TB級快閃記憶體
東芝、美光近來積極佈局3D立體堆疊的NAND快閃記憶體架構，東芝已經做到64層，讓這方面的領導者三星感到壓力山大，日前也宣佈了自己的第四代V-NAND，同樣達到64層，存儲密度比現在提高30％，硬碟最大容量可以做到驚人的32TB。據韓國媒體報導，基於第四代V-NAND快閃記憶體的三星固態硬碟將在今年第四季度上市，但具體產品不詳——860 EVO？
三星2013年全球第一家量產了3D NAND，第一代24層，第二代增加到32層，當前的第三代為48層。
統籌三星半導體部門的金奇南社長還透露：“預計在不久的將來，三星將會推出100層以上堆疊的1TB等級的快閃記憶體產品。”
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