Qimonda與Micron超越Samsung搶先推出DDR3樣品
據晶片產業分析機構Semiconductor Insights (SI)透露，記憶體晶片製造商奇夢達(Qimonda)和美光(Micron)已超越大廠三星電子(Samsung)，率先推出新一代DDR3 (Double Data Rate 3) DRAM樣品。SI行銷副總裁Jenn Markey在一份聲明中表示：「DDR3將帶來比DDR2快一倍的速度，而且功耗並沒有顯著上升，市場對DDR3的誕生期待已久。而令人驚訝的是，Qimonda和Micron竟然跑在大廠Samsung之前，領先推出了DDR3樣品。」
DDR3可提供高達1600Mbps的傳輸速率，比目前的DDR高一倍多。而由於電壓從1.8V降到1.5V，功耗更低，熱耗散更少，行動系統的電池壽命也會因此得到延長。此外DDR3在封裝、接腳(pinout)，以及以更高速執行信令等方面有顯著改進。
Micron記憶體部門高級行銷經理Bill Lauer表示，該公司將在2007年中量產1-gigabit DDR3晶片，並提供2-gigabit DDR3晶片樣品。SI認為，DDR3市場可望在2007年出現，而目前的市場寵兒是速度在800MHz以上的512-megabit和1-gigabit記憶體。
(參考原文：Micron, Qimonda beat Samsung to DDR3)
頁:
[1]