台積電3nm製程進度超前，EUV製程獲突破：直奔1nm
在ISSCC 2021國際固態電路會議上，台積電聯席CEO劉德音公佈了該公司的最新製程進展情況，指出3nm製程超過預期，進度將會提前。不過劉德音沒有公佈3nm製程到底如何超前的，按照他們公佈的訊息3nm是今年下半年試產，2022年正式量產。與三星在3nm製程激進選擇GAA環繞柵極電晶體管製程不同，台積電的第一代3nm製程比較保守，依然使用FinFET電晶體管。與5nm相比，台積電3nm的電晶體管密度提升70%，速度提升11%，或者功耗降低27%。
不論是5nm還是3nm，甚至未來的2nm，台積電表示EUV光刻機的重要性越來越高，但是產能依然是EUV光刻的難題，而且能耗也很高。劉德音提到台積電已經EUV光源技術獲得突破，功率可達350W，不僅能支援5nm，甚至未來可以用於1nm。按照台積電提出的路線圖，他們認為半導體製程也會繼續遵守摩爾定律，2年升級一代新製程，而10年則會有一次大的技術升級。
消息來源
頁:
[1]