三星計劃推出使用8層TSV的DDR5記憶體模組，總容量可高達512GB
在HotChips 33上三星確認正在開發擁有8層TSV堆棧的DDR5記憶體，是DDR4容量的兩倍。這意味著理論上512GB記憶體在未來是可能的。借助優化的封裝，三星計劃推出高度低於DDR4 4層堆棧記憶體的8層TSV堆棧封裝。由於管芯之間的間隙更小（減少 40%）以及透過使用薄晶圓處理技術，高度的降低成為可能。重要的是8層TSV堆棧將提供更好的散熱能力。
一個8層TSV堆棧DDR5模組將使每個模組的容量高達512GB。與DDR4相比，這是一個巨大的增長，DDR4主要提供最多32和64GB的容量，向伺服器市場供應有限的128GB或256GB模組。
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