2nm：台積電將BPD從N2生產中分離出來
在2022年技術研討會上，台積電談到了其即將到來的製程的計劃。雖然未來幾年的重點將放在各種N3版本的生產上，但從FinFET到GAA電晶體管的轉變即將隨著 N2出現。然而對於N2，台積電不會直接切換到背面供電 (BPD)，即透過晶圓背面提供電源和電壓。作為Intel下一步生產步驟展示的一部分，背面供電或背面電源軌的方法。Intel將此稱為PowerVias。雖然Intel計劃在Intel 20A製程使用PowerVias，同時從FinFET切換到GAA或RibbonFET，但台積電希望分階段導入新技術。
到目前為止台積電尚未對N2製程作出進一步評論。然而優化製程的預測被描述為保守的。對於N2台積電希望與N3E相比，將功耗降低25%到30%。預計性能將提高 15%至26%。與此同時台積電的目標是將電晶體管的封裝密度提高1.1倍。適度的增長可能與缺乏BPD有關。但台積電肯定會再次提供N2的幾種版本——然後還會提供一種帶有BPD的版本，這肯定會在某些領域取得又一次飛躍。
消息來源
頁:
[1]