拒絕QLC顆粒！三星守住底線：最新一代236層快閃記憶體依舊TLC
三星今天（11月7日）宣布開始量產第8代V-NAND快閃記憶體晶片，堆到了236層。上一代V-NAND其實只有176層，已經用在了旗艦SSD固態硬碟990 PRO上。關於第八代V-NAND，有兩點值得一說，一是三星介紹單晶片現在可以做到1Tb，也就是256GB的超大容量。二是這次依然是TLC顆粒（3 bits/cell）。其實部分廠商在進入到150+層的階段後，開始大肆製造更具成本效益的QLC顆粒，好在這次堅守住了底線。
據悉第8代V-NAND快閃記憶體晶片採用Toggle DDR5，傳輸速度2400Mbps，未來用於PCIe 5.0固態硬碟上，典型速度將能達到12.4GB/s。因為生產效率提升20%，最終的SSD成品也有望更便宜。稍稍遺憾的是三星這次並沒有透露商用產品何時首發。
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