SK海力士加速佈局：DRAM 產能翻倍在望，年底擬量產 375 層 NAND 快閃記憶體
本帖最後由 as89725671 於 2026-6-11 13:15 編輯近期陸續有消息傳出，SK海力士 (SK hynix) 針對市場急增的供給需求，預計採用較激進的擴產方案；並向核心供應商分享未來的產能規劃，預計 2030 至 2031 年間，將 DRAM總產能從現階段的每月約55萬片晶圓，大幅拉升近一倍，其中涵蓋無錫廠每月約20萬片的產能貢獻。
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根據 TrendForce 外媒報導，SK集團會長崔泰源近期明確表示，公司的長遠目標是在2034年將整體晶圓產能擴充至現有的三倍。他強調，由於市場需求成長的力道超乎預期，SK海力士不得不將擴產的時程表向前推進約十年；然而即便如此加速，未來仍可能面臨產能吃緊的挑戰。
在具體的建廠規劃上，擴建核心將落在韓國京畿道龍仁市的超大型半導體聚落。該園區的首座晶圓廠預計於2027年初正式投產，並計畫在2030年上半年為公司帶來每月36萬片的新增產能，以大幅提升對客戶訂單的消化能力。
此外，位於忠清北道清州市的M15X擴建項目也正在緊鑼密鼓地推進中，預估2026年下半年啟用，初期月產能設定為4萬片，並預期在2027年進一步擴充至8萬片晶圓。
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除了DRAM的佈局，SK海力士在NAND快閃記憶體領域也有突破性進展；消息指出，相關技術驗證已順利完成，公司準備在今年底前啟動新一代NAND的量產作業；雖然SK海力士最初的野心是直衝400層以上的堆疊技術，但考量到現階段生產設備的製程難度與良率挑戰，最終務實地將首發目標調整為375層，並將480層與604層列為長期的技術發展藍圖。
值得注意的是，針對這款375層產品，SK海力士在內部結構上，進行關鍵性改良，首度以鉬（Mo）部分取代傳統使用的鎢（W），作為字線金屬閘極的新型材料，將為產品效能帶來進一步的優化。
消息來源 : 1 , 2 太少要提升10倍:$..
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