Xbox繪圖記憶體採用台積電90奈米嵌入式製程生產
台積電(TSMC)宣佈，美商微軟(Microsoft)的Xbox遊戲機繪圖記憶體採用該公司90奈米嵌入式動態隨機存取記憶體(DRAM)製程，並已開始投片生產。台積電的90奈米嵌入式DRAM技術具備80Mb的高密度巨集設計和500MHz的高速效能，能滿足客戶對高記憶體容量的需求。台積電的90奈米嵌入式DRAM製程是於2006年第一季開始量產，並已發展出多種多功能的記憶體巨集，應用在十多個90奈米的客戶產品上。該製程係以金氧互補半導體(CMOS)邏輯製程為基礎，整合一個外加式(Add-on)記憶體模組，能夠省下外部DRAM與元件間介面的輸入/輸出電力，並具備較寬的匯流排以及較低的材料成本等競爭優勢。
台積電表示，此一製程相當適合用於生產需要高匯流排量的系統單晶片的數位電視及遊戲機等晶片，以及低耗電需求的手持式及小尺寸的消費性電子等晶片。與SRAM製程相較，此一製程的操作及待機耗電量更低，其巨集尺寸也縮小了一半以上。
採用該嵌入式DRAM製程能夠節省模組空間，加強系統的穩定性和減少記憶體的軟錯率(Soft Error Rate)。此外台積電亦提供彈性的記憶體容量供客戶選擇，其單位以百萬位元(1Mb)計。
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