月底量產，三星宣佈30nm製程8Gb OneNAND
來自Expreview的報導 ，三星電子宣佈，已成功用30nm製程製造出8Gb容量的OneNAND快閃記憶體晶片，目標是大型存放區設備和高階智慧手機。這種OneNAND快閃記憶體晶片是採用SLC NAND技術，把讀取速度提升至70MB/s（是傳統快閃記憶體的四倍左右），而且功耗非常低。三星電子快閃記憶體部副經理Sejin Kin表示，我們對於30nm製程的NAND解決方案能廣泛被智慧手機應用感覺非常興奮，新的8Gb OneNAND晶片能夠有效改善目前智慧手機目前的存儲容量問題。我們會把新技術應用到不同規格的晶片上，擴大OneNAND晶片的市場。
三星現已開始出貨8Gb OneNAND晶片的樣品，並計畫本月底開始量產。
對TMC真的很失望....
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