三星宣佈開始量產30nm製程2Gb密度DDR3記憶體晶片
今年早些時候，三星公司曾宣佈完成了30nm製程2Gb密度DDR3記憶體晶片的開發工作，而最近他們則宣佈這款晶片產品已經進入批量生產階段。這款30nm製程DDR3晶片可以在1.35V電壓條件下工作在1866MHz資料傳輸率下，加壓到1.5V之後資料傳輸率則可提升至2133MHz，適用於桌上型電腦，筆記型電腦，伺服器的各種應用。三星表示目前他們正在開發4Gb密度的30nm制程DDR3記憶體晶片產品，預計這款產品今年才會投入使用。
這就表示可以在現有的PCB版之下
做出容量更高速度更快的記憶體模組了吧!!!!
頁:
[1]