IM Flash Technologies試產25nm TLC 快閃記憶體晶片
一年前Intel和鎂光合資公司IM Flash Technologies宣佈34nm TLC NAND快閃記憶體晶片研發成功，現在隨著新製程研製成功，該公司宣佈開始試產25nm製程TLC NAND快閃記憶體晶片。TLC NAND快閃記憶體又叫3bps NAND快閃記憶體，每個儲存單元能儲存3bit的資料。新的TLC NAND晶片容量為64Gb，即一顆晶片儲存空間就達8GB，這是目前最小儲存密度最大的NAND晶片，相信採用該晶片的話隨身碟、SD卡和MP4、手機這類消費電子產品的儲存空間會大大提升。
其核心面積為131mm2，相比25nm MLC NAND快閃記憶體，相同容量的TLC NAND快閃記憶體尺寸縮小20%，有更好的成本優勢，Intel相信該晶片會有很強的市場競爭力。IM Flash Technologies計畫在今年年底開始大批量生產25nm TLC NAND快閃記憶體晶片。
不知道此款的速度跟 MLC以及SLC 相比之下如何???
價位呢???
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