合力開發下一代儲存技術，東芝與海力士聯手發展MRAM技術
儘管目前仍是DRAM時代，不過東芝（Toshiba）和海力士（Hynix）已經開始著手為下一代的儲存晶片進行準備了。今天兩者聯合宣佈，他們將集合各自的研究人員並展開合作，共同研發MRAM技術的產品。MRAM的全稱是自旋扭矩轉換磁性抵抗型隨機記憶體（Spin-Transfer Torque Magnetoresistance Random Access Memory），其主要利用磁致電阻的變化來表示二進位的0和1，從而實現資料的存儲。與現有的DRAM相比，MRAM擁有壽命長、速度快、密度大、功耗低及斷電資料不丟失的特性。這次東芝和海力士的合作主要是希望將MRAM技術產品化，早期的目標是研發MRAM與NAND快閃記憶體的混合儲存產品，而後期目標則是進軍PC記憶體和硬碟領域。不過雖然兩者達成了合作協定，但具體的產品路線圖仍未公佈。
消息來源:Expreview
看起來非常猛..................... 猛ㄟ....只是比DDR4還遙遠 嚷我想想，大學的物理
還有原子結構:hug:..
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