WD披露其第四代BiCS4 3D NAND快閃記憶體進展非常滿意,已經出貨給特定零售客戶,SSD、隨身碟、記憶卡等產品也不遠了。WD(和Toshiba)的BiCS4技術採用96層堆疊設計,可用來製造TLC、QLC NAND顆粒。
根據WD去年的說法,96層堆疊初期用來製造3D TLC,單Die容量256Gb(32GB),而在良品率足夠高之後,會轉向更高容量的3D TLC,並最終製造3D QLC,容量可達1Tb(128GB)。WD和Toshiba去年還曾經宣布過單Die容量768Gb(96GB)的BiCS3 64層堆疊3D QLC顆粒,很可能會在96層QLC之前上市。
QLC每單元可以保存4bit數據,相比TLC又多了三分之一,既有利於做大容量,也有利於降低成本,必然是快閃記憶體廠商們未來的重點,哪怕它壽命和性能繼續大幅度下滑。美光此前已經出貨了第一款採用QLC的固態硬碟,擦寫壽命只有區區1000次,完全不適合頻繁寫入使用。
消息來源 |