SK Hynix已成為業界首家在其設施中整合ASML高NA EUV設備的公司,超越了台積電和三星等公司。
憑藉其點到點解決方案,以及更重要的是與NVIDIA的合作,這家韓國記憶體龍頭已成為規模最大、最先進的DRAM製造商之一。如今該公司成功率先在其位於韓國利川的M16製造工廠中整合ASML的高NA設備,超越了其他行業龍頭,並為下一代DRAM技術鋪平了道路。 SK Hynix在一篇專門的部落格文章中宣布了這項成就,並聲稱此舉將有助於尖端產品的開發。
TWINSCAN EXE:5200B是ASML高NA EUV產品線的首款量產機型,與現有EUV系統相比,該機型可列印尺寸縮小1.7倍的電晶體管,並實現電晶體管密度提高2.9倍,NA從0.33提高至0.55,提高了40%。
透過採用新系統,SK Hynix計畫簡化現有的EUV製程,並加速下一代記憶體的開發,進而提升產品性能和成本競爭力。該公司還旨在增強其在高價值記憶體產品市場的地位,並鞏固其技術領導地位。
有趣的是在先前的報導中,我們談到了SK Hynix在DRAM領域推進高NA EUV設計,並聲稱這家韓國龍頭將把其DRAM技術提升至六層EUV,這標誌著巨大的進步。當時的報導認為高NA EUV設備對於打破層數至關重要。如今SK Hynix已經能夠使用ASML的高階設備,顯然該公司已準備好在記憶體市場掀起下一個浪潮。
毫無疑問SK Hynix已努力成為NVIDIA和AMD等客戶DRAM需求的首選供應商,並在相對較短的時間內成功超越業界領先者三星。更重要的是該公司整合高NA設備也表明其不會止步不前,並將繼續提供優質產品和強大的競爭力。
消息癌原 |