美光12層堆疊HBM4實現2.8TB/s頻寬，單腳傳輸速率達11Gb/s

美光（Micron）公司於昨日公佈了2025財年第四季及全年財報，並超出市場預期，並在會上透露了其最新的高頻寬記憶體（HBM）技術的進展。美光CEO Sanjay Mehrotra在財報電話會議中確認公司下一代儲存產品HBM4預計將於明年上市，並在基礎JEDEC HBM4規範基礎上實現重大效能提升。

Mehrotra表示：美光的HBM4 12層堆疊已經準備好支援客戶的平台升級。儘管對於HBM4的頻寬和速度的性能要求不斷提升，我們仍按計劃推進，最近已向客戶交付了首批樣品，實現業界領先的2.8TB/s頻寬和每針超過11Gb/s的數據速率為對比的數據速率，作为對比，HBM4的JEDEC標準为2TB/s頻寬、每針腳8Gb/s（總共2048針腳）。美光的方案将每針速率提升到11Gb/s，整體頻寬提升了40%，達到2.8TB/s。

對於這項超規格的原因，美光解釋稱NVIDIA等客戶正要求HBM供應商研發更高效能的記憶體，以滿足運算晶片算力成長的需求。為此美光主動突破JEDEC標準。 我們相信美光HBM4性能超越所有競品，同時實現業界領先的能源效率。我們的1-gamma DRAM製程、創新且高能效的HBM4設計、自研先進CMOS基底晶片，以及先進的封裝製程，是該產品脫穎而出的關鍵。

此外美光CEO也確認在HBM4E產品中，公司將不僅提供標準產品，還可為客戶客製化底層邏輯晶片（base logic die）。據報導NVIDIA和AMD的新一代加速器將首次應用定製版HBM記憶體。在最高12層堆疊的HBM儲存體系中，透過矽通孔（TSV），可望嵌入整合特殊邏輯/加速電路的客製化底層晶片，以滿足特殊需求。業界最新動向顯示，NVIDIA和AMD不僅在探索此方案，而且正積極開發採用客製化基底晶片的產品，可望在AI加速器性能上達到業界領先水準。這款客製化晶片預計將具備資料處理、邏輯功能，更有效率地路由資料包，減少延遲並提升整體效能。

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