SK hynix路線圖顯示HBM5/HBM5E、GDDR7-Next、DDR6和400層以上的4D NAND快閃記憶體將於2029-2031年推出

SK hynix公佈了其下一代技術路線圖，列出了2029年以後的 HBM5、GDDR7-next、DDR6和400+層4D NAND。

在SK AI Summit 2025上SK hynix公佈了其下一代DRAM記憶體和NAND快閃記憶體產品路線圖，並談到了客製化HBM、HBF和AI優化產品等幾項下一代技術。

從產品路線圖來看，SK hynix制定了兩個時段：第一個時段涵蓋2026年至2028年，第二個時段涵蓋2029年至2031年。在這兩個時間段內，SK hynix都計劃推出一系列HBM、傳統DRAM和NAND產品。在2026年至2028年期間，該公司計劃推出HBM4 16-Hi和HBM4E 8/12/16-Hi，以及其客製化的HBM解決方案。

客製化HBM解決方案的核心在於將HBM控制器移至HBM基片上。其他IP，例如協定等，也一併移至HBM基片上。這使得GPU/ASIC製造商能夠增加運算晶片面積。此外客製化HBM設計還能降低介面功耗。 SK hynix將與台積電合作開發其客製化HBM解決方案和基片。

除此之外SK hynix還將推出一系列傳統DRAM解決方案，例如LPDDR6，以及針對人工智慧的AI-D DRAM解決方案，例如LPDDR5X SOCAMM2、MRDIMM Gen2、LPDDR5R和第二代CXL LPDDR6-PIM。在NAND方面，標準解決方案將包括容量高達245TB+ QLC的PCIe Gen5 eSSD、PCIe Gen6 eSSD/cSSD、UFS 5.0以及針對人工智慧的AI-N NAND解決方案。

展望2029-2031年，SK hynix將開始研發其下一代HBM5、HBM5E解決方案以及相應的客製化HBM5解決方案。在DRAM方面，SK hynix將推出GDDR7-next和DDR6產品以及3D DRAM。

GDDR7-next 很有趣，因為這表示在傳統獨立顯示卡領域，我們還需要一段時間才能看到GDDR7以上的記憶體技術。第一代GDDR7的讀寫速度目前上限為30-32Gbps，而標準的最高速度可達48Gbps。

我們預計該標準至少要到2027-2028年才能充分應用，因此時間軸吻合。三星率先為NVIDIA的RTX 50和RTX PRO Blackwell GPU提供GDDR7 DRAM，幾個月後，美光和SK hynix也加入了這一行列。

此外DDR6預計在2029-2031年推出，看來在未來幾年內，我們可能都看不到傳統桌上型電腦和筆記型電腦採用DDR5以上的記憶體了。

針對未來的NAND產品，SK hynix計畫推出400多層4D NAND和HBF（高頻寬快閃記憶體）解決方案。據稱高頻寬快閃記憶體旨在滿足下一代PC的AI推理需求，因此這項技術在實際應用中的表現值得關注。

話雖如此SK hynix的大部分公告都著眼於未來。這些公告發佈時間大約在3-4年後，但很多事情都可能發生變化，期待下一代技術能早日到來。

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