DDR6記憶體研發正式啟動，Samsung, SK Hynix & Micron競相在2028-2029年商業化

DDR6記憶體的研發正在如火如荼地進行，包括Samsung, SK Hynix & Micron在內的主要DRAM製造商都在競相完成研發，以滿足日益增長的人工智慧需求。

去年JEDEC發布了LPDDR6標準，相較於LPDDR5，其效能和效率均有所提升。 LPDDR記憶體憑藉其更快的速度、更大的容量和高效的運行性能，已成為人工智慧產業的首選。 LPDDR的能源效率特性使其成為人工智慧資料中心的理想之選，而基於LPDDR5/X的SOCAMM2也已成為人工智慧伺服器的標準。

如今三大記憶體製造商——Samsung, SK Hynix & Micron——正加緊推進DDR6記憶體的研發。這項新技術可望進一步提升DDR5標準的效能，以實現全面改善。根據The Elec報導基板製造商已被要求加快DDR6的研發進程。

一位基板行業人士表示：儲存器公司和基板製造商通常會在產品發布前兩年多就開始聯合研發。DDR6的初步研發工作最近才開始。

透過The Elec

儘管DDR6記憶體距離商業化還有幾年時間，但基板製造商通常會提前兩年啟動新專案的聯合研發。隨著初步研發工作的展開，記憶體製造商正競相成為首批推出各自DDR6產品的廠商。目前這三家廠商都尚未發布或展示任何DDR6記憶體模組，但鑑於市場對新型記憶體標準的日益關注，他們都希望自己的下一代設計能夠成為未來人工智慧資料中心的首選解決方案。

正如我們在DDR5記憶體市場所看到的，人工智慧公司不會局限於單一的DRAM供應商，因為記憶體短缺問題非常嚴重，即使有多家供應商也無法滿足他們的需求。Samsung&Micron已經表示記憶體供應將在未來幾年內持續緊張，2027年的情況將比2026年更糟。

目前DDR5佔伺服器記憶體市場市佔率的80%以上，預計今年內將達到90%。至於技術本身，DDR6預計速度可達8.4Gbps，隨著製程的成熟，最高可達17.6Gbps。此外記憶體容量更大，同時保持低功耗運行，LPDDR6標準預計工作電壓低於1.0V。

就在不久前，JEDEC預覽了其下一代LPDDR6 SOCAMM2，該記憶體採用小型節能設計，容量高達512GB。 DDR6預計將於2028年至2029年間針對AI資料中心實現商業化，而消費者將在資料中心需求滿足後的一兩年內體驗到下一代記憶體的效能。

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