華為計畫在2031年前推出與TSMC 1.4nm製程相當的晶片光刻技術，顯示美國制裁不會阻礙其發展

美國制裁或許切斷了華為與其他國家進行貿易的管道，使其無法獲得大規模生產下一代晶片所需的最新光刻技術和相關設備，但也激發了華為擺脫對海外企業的依賴，自主打造晶片的決心。今天華為宣布到2031年其晶片製造流程將與台積電即將推出的尖端1.4nm製程相當。這聽起來令人振奮，但仍有一些方面值得我們關注。

除了發布計劃於今年稍晚應用於麒麟晶片組的全新邏輯折疊設計技術外，華為高管何廷波還透露該公司計劃在2031年前推出1.4nm等效製程的製程。需要注意的是華為如何實現這一近乎不可能的目標，目前尚未透露太多細節，但我們有一些想法。

然而在開始之前，讀者應該了解台積電為在2028年開始量產其1.4nm晶圓而採取的規模。為了實現這些目標，這家台灣半導體龍頭估計已投資高達490億美元用於建造四座工廠，而且這還不需要ASML價格高得離譜的高數值孔徑EUV光刻機，每台機器的成本可能高達4億美元。

華為若想推出採用類似光刻技術的晶片，就需要ASML的技術，但美國的禁令禁止兩家公司進行業務往來。然而如果中國不要求海外設備達到台積電的水平呢？正如我們去年報導的那樣中國EUV光刻設備在2025年第三季進入試生產階段的可能性微乎其微。

華為也可能對SiCarrier投入了大量資金。 SiCarrier是中國領先的EUV設備供應商之一，致力於以自有設備取代ASML的EUV設備。先前有報告稱該公司計劃在2025年上半年尋求28億美元的融資，但目前尚未有關於其進展的最新消息。考慮到2031年對華為來說是一個較長的時間，足以製定其1.4nm製程的各種應急方案，我們也應該提醒讀者，如果沒有上述設備，華為幾乎不可能實現這些目標。

華為的雄心壯志固然值得稱讚，但也需要以務實的眼光看待問題。每家科技公司都可以誇下海口，但真正落實又是另一回事。

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