格棋化合物半導體榮獲第22屆台灣金根獎 以台灣為基地深耕SiC材料 強化AI、電動車與高...

台北訊，2026年6月10日 — 台灣碳化矽（SiC）材料廠格棋化合物半導體股份有限公司（以下簡稱格棋）宣布榮獲第22屆台灣金根獎肯定。台灣金根獎以「深耕台灣、佈局全球」為核心精神，表揚以台灣為營運根基、具備國際市場拓展能力與產業競爭力的企業。

格棋此次以中小企業組「半導體及數位科技」領域獲獎，展現公司自2022年成立以來，持續投入SiC材料、長晶製程與大尺寸晶圓技術的成果，也反映台灣在第三代半導體材料端建立自主能力的產業意義。


AI與高功率應用升溫　SiC材料角色升級

隨著AI資料中心、電動車、再生能源與先進封裝快速發展，功率元件正朝高電壓、高頻率與高功率密度演進，材料品質成為系統穩定運作的基礎。

SiC具備高崩潰電場、高熱導率與高溫運作優勢，過去多應用於電動車與再生能源系統，如今在AI資料中心電源架構、先進封裝散熱與高效能運算平台中，重要性持續提升。

格棋董事長熊觀明表示：「第三代半導體是台灣下一個十年的重要戰略機會。此次獲得金根獎，是對團隊長期投入技術研發與製造落地的鼓勵，也代表產業對台灣建立關鍵材料自主能力的期待。」


中壢量產站穩腳步　8吋放量、12吋前進

格棋以台灣作為研發、製造與技術決策中心，主要生產據點位於桃園中壢。中壢一廠已投入量產，聚焦6吋與8吋SiC晶錠、晶棒及晶圓生產；中壢二廠則持續建置，規劃擴充8吋量產能力並建立12吋試產線。

格棋目前產品涵蓋6/8/12吋導電型SiC晶錠與晶圓、6/8吋半絕緣型SiC晶錠與晶圓、導電型籽晶及高純度碳化矽粉。公司以原材料物性控管、籽晶沾黏精度、熱場參數設計與結構穩定性為核心，累積逾千次晶體生長經驗，並將SiC晶體缺陷密度壓低至10²/cm²以下，提升大尺寸晶圓量產所需的一致性與可靠度。


從材料源頭到國際客戶　台灣SiC供應鏈加速成形

格棋採取以台灣為軸心的全球供應鏈策略，透過在地製造與國際客戶合作，服務範圍已涵蓋日本、美國、歐洲與台灣市場，客戶類型包括半導體晶圓代工廠、SiC元件製造商、功率模組與系統整合商，以及AI基礎建設相關業者。

熊觀明表示：「AI資料中心、電動車、再生能源與先進封裝正帶動SiC材料需求升級。格棋希望以台灣為基地，建立下一階段材料競爭力，讓國際市場看見台灣在第三代半導體材料端的技術深度與交付能力。」

除產能與市場布局外，格棋也積極推動產學研合作，強化長期技術能量。公司與國立臺灣大學、國立成功大學、工業技術研究院及產業夥伴合作，投入SiC加工、先進封裝微結構、長晶技術與無損檢測等研發；國際合作方面，格棋亦已與美國普渡大學簽署合作備忘錄，拓展SiC材料與高功率應用技術交流。

未來格棋將持續以台灣為根基，深化材料自主、國際合作與青年人才培育，推動台灣在AI、高功率元件與先進封裝市場中，建立更完整的第三類半導體材料生態系。

【關於格棋化合物半導體】
格棋化合物半導體為2022年成立的新創公司，著眼未來能源轉型與電動車市場之龐大商機，專注於化合物半導體長晶等第三代化合物半導體的工藝技術開發。於2023年完成價值15億新台幣之A輪募資，其獨特長晶工藝與量產能力，致力於打造兼具高效能與高可靠性的碳化矽晶片。