美光砸 1.5 兆日圓啟動廣島廠大擴建！升級 1 γ 製程搶 HBM 產能，挑戰 SK 海力士

在 AI 與高效能運算（HPC）需求的猛烈推波助瀾下，全球 DRAM 與 NAND 快閃記憶體供不應求，各大記憶體巨頭正全面掀起產能擴張的軍備競賽；其中，美光（Micron）不僅積極擴建自有廠區，更透過收購力積電（PSMC）廠房，展開代工合作等策略，以借助第三方力量加速產能的佈建速度。

日本政府大力挹注，廣島廠投入 1.5 兆日圓強攻 HBM
根據《TrendForce》外媒消息，面對競爭對手三星與 SK 海力士宣布於未來十年內斥資約 1,350 兆韓元（約合上兆美元）狂砸半導體與資料中心建設，美光亦不甘示弱，已於 2026 年 7 月 4 日正式啟動日本廣島廠的大規模擴建案。

本次擴建的核心目標聚焦於生產次世代高頻寬記憶體（HBM）設施，預估總投資金額高達 1.5 兆日圓。這項具備高度戰略意義的晶圓廠擴建工程，已獲得日本經濟產業省（METI）的大力扶持，預計將獲得約 5,000 億日圓的官方補貼。

製程躍升 1γ 世代，深化日本產業生態系佈局
近年來，日本政府祭出高額補貼積極振興本土半導體製造，美光正是受惠最深的指標廠商之一。回顧 2024 年，美光即於廣島廠區投入約 5,000 億日圓興建新廠房，當時便獲得近 2,000 億日圓的政策補助。

隨著極紫外光（EUV）微影設備的順利導入，該廠的 DRAM 核心製程已成功由 1β（1-beta）跨越至更先進的 1γ（1-gamma）技術節點；自 2025 年底開始，業界即不斷傳出美光將再次重注廣島，透過全新 HBM 專用產線進一步擴大總產能，誓言在 AI 伺服器供應鏈中奪下更關鍵的席次。

挑戰既有格局：目標拿下四分之一 HBM 市場
從目前的市場競爭版圖來看，SK 海力士憑藉著與 AI 晶片霸主 NVIDIA（輝達）的緊密綁定，依然在 HBM 領域穩坐龍頭寶座；然而，其消息數據指出，隨著美光各廠區的新增產能陸續到位，其在 AI 記憶體市場的影響力正節節攀升。

市場樂觀預期，美光未來的 HBM 產能規模將有望穩佔全球約 20% 至 25% 的份額，成功擠下競爭對手，拿下近四分之一的江山。

消息來源 : 1