通用 DRAM 仍是主力！毛利率高達 95% 為美光等大廠的主利潤來源，高於 HBM 記憶體

高頻寬記憶體（HBM）無疑是過去幾年記憶體產業最耀眼的明星產品，憑藉超高頻寬與大容量優勢，成為 AI 訓練不可或缺的核心；然而其高昂的製造成本與技術門檻，也讓全球三大原廠（三星、SK 海力士、美光）全力爭搶訂單並大舉傾斜產能。

不過，這市場格局在過去一年迎來劇烈轉變，隨著 AI 工作負載的重心逐步由「模型訓練」轉向大規模「推論部署」，市場對記憶體架構的需求隨之重構，過去被視為低毛利的通用 DRAM，短時間內價格已翻漲數倍。

通用 DRAM 毛利率逆襲，機構預估 2027 年升至  95% 歷史新高

根據《Wccftech》外媒報導，引產業研調數據指出，自 2025 年起，美光（Micron）在通用 DRAM 的毛利率已從 44% 顯著攀升至 50%；其中最大幅度的躍升出現在 2026 年初，毛利率更一舉衝破 80% 大關。

受惠於全球資料中心對推論伺服器記憶體的需求持續未獲滿足，這波暴漲動能預計將一路延續，業界預估美光的通用 DRAM 毛利率在 2027 年有望進一步推升至 95% 的歷史新高，即便進入 2028 年，多數時間亦將維持在 93% 左右的高檔水位。

利潤空間顯著分化，非 HBM 製造商也同步受惠

事實上，通用 DRAM 的毛利率早在數個月前便已正式超越 HBM。這項反轉使得部分並未跨足 HBM 製造的傳統 DRAM 供應商，獲利表現同樣水漲船高。

市場預測，2027 年 HBM 的平均毛利率將落在 75% 至 78% 之間；相較於通用 DRAM 逼近滿載的暴利水準，HBM 在商業獲利上的吸引力已顯得不再那麼耀眼。

製造瓶頸引發產能排擠，晶圓消耗推升整體市場價格下限

造成這波供需失衡的根本原因，仍在於 HBM 複雜的製造工藝， 必須仰賴多層 DRAM 晶粒垂直堆疊與先進封裝，不僅整體生產良率較低、製造成本居高不下，更需消耗極為龐大的晶圓資源；尤其生產相同容量的條件下，HBM 消耗的晶圓數量約為一般 DDR5 的三倍之多。

三大原廠先前將大量產能移轉至 HBM，等同直接排擠了通用 DRAM 的投片量；在供應鏈受到實質壓縮且 AI 推論需求爆發下，傳統記憶體市場正迎來前所未見的賣方市場行情。

消息來源 : 1

省錢不買時代2026-2030