Intel承認在EUV極紫外光微影上犯錯：當年太自信

近幾年，台積電、三星於半導體製程上超越了Intel，後者於14nm製程之前都是全球最先進的半導體公司，然而，於10nm製程遇到困難，給了對手可乘之機。

Intel於此過程當中為何會被超越呢？執行長Pat Gelsinger日前受訪時，特別提及Intel於EUV極紫外光微影製程上的選擇錯誤。

於EUV製程技術研發上，Intel為重要推手，ASML研發EUV曝光機亦得到了Intel不少的幫助，但Intel於10nm製程上未選擇EUV，而是嘗試了新的SAQP四重曝光技術，其目標是不依賴EUV曝光機亦能生產先進製程。

Pat Gelsinger表示，當初這個目標是很好的，然而，SAQP非常複雜，成本高，隨著時間發展，Intel站在了EUV錯誤的一邊，當時應該至少有一個並行的EUV戰略才對。

Pat Gelsinger所說的，其實就是過去幾年中，Intel於10nm製程上多次跳票的關鍵，近兩年才算是搞定了10nm製程的量產，現在改名為Intel 7製程。

至於EUV製程，Intel現在亦重視起來了，與ASML的合作很好，今年底將量產的Intel 4製程即為Intel首個EUV製程，用於Meteor Lake第14代Intel Core處理器，明年上市。

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