美光推出手機專用3D NAND快閃記憶體，讀寫性能速度飆升

美光專門適用於手機的3D NAND快閃記憶體，採用了最新的UFS 2.1傳輸標準，讀寫速度可以達到1.5GB/s、500MB/s，單晶片容量為32GB，封裝面積僅有60.217平方毫米。

美光宣稱這種3D NAND快閃記憶體採用了最新的UFS 2.1傳輸標準，讀寫速度可以達到1.5GB/s、500MB/s，相比UFS 2.0標準效能提高2倍。單晶片容量為32GB，封裝面積僅有60.217平方毫米，對比以往相同容量的快閃記憶體面積減少30%。採用了MCP多晶片封裝技術，支援LPDDR4X。

現在的4k視頻、VR、大型3D遊戲都需要超高的存儲容量，16GB的存儲空間根本無法滿足使用需求，也因此傳聞iPhone7將會取消16GB而增加256GB版本。對於這種內部空間寸土寸金的手機來說，小面積的快閃記憶體晶片可以讓出更多空間集成其他功能晶片或增加電池容量和存儲容量，也可以令手機設計更加輕薄。

資料來源