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作者: sxs112.tw
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[儲存裝置] Silicon Motion的SM2508 Gen5 SSD控制器可提供高達14.5GB/s的傳輸速度、250萬次IOPS、6nm ARM CPU

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Silicon Motion詳細介紹了即將推出的SM2508 Gen5 SSD控制器,該控制器將與Phison的E26競爭,瞄準高階儲存裝置。

繼先前在FMS 2023(快閃記憶體高峰會)上發佈公告後,Silicon Motion在MTS記憶體趨勢高峰會2024活動期間公佈了即將推出的SM2508 Gen5 SSD控制器的新數據。該公司強調了我們在下面列出的更多細節。
Silicon-Motion-SM2508-Gen5-SSD-Controller-14.5-GBps-_1-1.png

首先自上次我們聽說下一代控制器以來,Silicon Motion似乎已經將額定傳輸速度提高了一點。傳輸速度現在的額定讀取速度高達14.5GB/s,寫入速度高達14.0 GB/s,而之前的速度為14GB/s(讀取/寫入)。該控制器仍提供高達250萬次IOPS,並支援3D TLC/QLC NAN 快閃記憶體。

關於SiliconMotion的新型SM2508控制器,最受關注的主題之一是它的運行功耗僅為3.5W TDP,這可能會帶來更有效率的PCIe Gen5 SSD設計。這略低於 Phison E26控制器的5W額定功耗,並且應該會帶來稍微涼爽的設計和更少的過熱。
Silicon-Motion-SM2508-Gen5-SSD-Controller-14.5-GBps-_2-1.png

我們甚至可能會看到一些更纖薄的被動散熱解決方案,因為Phison E26高階設計大多是主動散熱並使用非常大的散熱器,其中一些來自Corsair的產品甚至包括水冷散熱。然而我們也看到了威剛的Project Neostorm Gen5 SSD採用水冷解決方案,並且採用SM2508控制器。
Silicon-Motion-SM2508-Gen5-SSD-Controller-14.5-GBps-_3-1.png

另一件重要的事情是Silicon Motion SM2508控制器將支援高達8通道DRAM,以3600MT/s的速度運行,這比Phison E26 控制器上的8通道2400MT/s DRAM有了很大的提升。該控制器還配備一個採用ARM的CPU,有4個頻率為1.25GHz的Cortex-R8核心和一個Cortex-M0核心。SSD控制器採用台積電的全新6nm EUV 製程,與12nm設計相比,功耗降低高達45%。

目前Silicon Motion預計PCIe Gen5 SSD設備將在2025年採用,因為它預計該SSD將在來年獲得更高的主流和發燒友關注。此外還將推出主流SM2504XT Gen5 SSD控制器,此前預計該控制器將在今年底推出,但預計在2024年上市。

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