半導體領域的里程碑，美光試產16nm製程MLC NAND快閃記憶體

目前MLC NAND快閃記憶體的製程已經過渡至20nm級別，不少SSD產品都已經採用了新製程的快閃記憶體。而美光科技則走得要比別人快一些，他們已經開始試產採用16nm製程打造的128Gb MLC NAND快閃記憶體，這種製程在快閃記憶體領域乃至已經試產的半導體產品中都是最先進的，堪稱是里程碑。

據美光提供的消息稱，目前試產的128Gb MLC NAND快閃記憶體主要用在消費級SSD、隨身碟、記憶卡、平板電腦、智慧手機、超薄移動設備以及雲端儲存數據中心等地方。由於製程上的優勢，新的快閃記憶體晶片體積更小，因此在同樣面積的晶圓上可以生產出更多的成品，目前一塊16nm製程晶圓的總容量可達6TB。