Intel公佈2025年及以後的製程路線圖和新命名方案

在IDM 2.0主題演講中，Intel首席執行官Pat Gelsinger公佈了其公司全新的製程路線圖以及新一代製程的全新命名方案。全新的路線圖涵蓋了我們預計到2025年及以後進入製造和生產的所有製程和相應產品。

Intel正在其新領導下進行整體重組，看起來過去幾年一直令人困惑的製程最終會為公眾所理解。Intel最近推出了10nm SuperFin製程，這是Ice Lake晶片使用的Intel 10nm (++) 的增強型版本。目前Intel在行動和桌上型平台上同時擁有10nm和14nm晶片，但當Intel最終推出其Alder Lake和Sapphire Rapids產品線時，這種情況將在今年晚些時候發生變化。

Intel 7 Process Node (Previously 10nm Enhanced SuperFin)

首先看到Intel 7，這是該公司10nm SuperFin製程的新名稱。該製程將為Intel的Alder Lake Client和Sapphire Rapids Server系列提供動力。根據Intel的聲明該製程將在10nm SuperFin上提供每W增益10-15%的性能，並擁有FinFET電晶體管優化功能。Intel 7已準備好量產，首批產品預計將於2021年第四季上市。


Intel 4 Process Node (Previously 7nm)

Intel 4也是該公司之前稱為其7nm製程的東西。這是一個大肆宣傳的製程，因為它為包括Ponte Vecchio在內的幾款下一代產品提供動力，此外我們還有用於客戶端的Meteor Lake和用於數據中心的Granite Rapids。Intel聲稱Intel 4的每W性能比Intel 7提高了 20%。除此之外Intel 4還將提供一系列超過10nm的增強功能。

該製程還將充分利用EUV光刻技術，並且已經有Tape Out產品，例如上一季有Tape Out的Meteor Lake Compute Tile。Granite Rapids還將採用多計算圖塊設計，其主要Granite Rapids核心將在Intel 4製程上製造。

Intel 3 Process Node (An Intel 4 Optimization?)

超越Intel 4，該公司計劃推出其Intel 3製程，該製程將在2023年下半年為製造產品做好準備。看Intel列出的內容，Intel 3似乎是Intel 4的優化，因為它提供每W增益18%的性能，提供更密集的HP庫，增加固有驅動器電流，增加EUV使用並降低通孔電阻。


Intel 20A Process Node & Beyond（真正的下一代製程）

Intel已經透過其稱為Intel  20A的新產品繼續談論其後nm時代。Intel 20A開啟了Angstrom時代（A 代表 Angstrom），等於10⁻¹⁰ m或1A = 0.1nm。這只是說明2nm的一種很酷的方式，但考慮到製程已經變得多麼小，以及我們在這十年內將進入十進制空間的事實，Intel決定需要一個新的測量單元。

因此Intel 20A (2nm)將在 2024 年上半年進入早期生產階段時提供突破性創新。 20A製程預計將採用全新的RibbonFET電晶體管，將取代現有的FinFET架構，並提供新的互連創新，其中之一這被稱為PowerVia。Intel還透過Omni和Direct擴展其Forveros技術。Forveors Omni將出現在封裝高性能計算塊的產品中，而 Forveors Direct將允許透過銅對銅鍵合實現多層互連電阻。Forveros將作為一個整體進行更新，以透過下一代互連解決方案提供更高的頻寬。


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