台積電CEO秘密拜訪ASML總部，預告公司可能改變高數值孔徑EUV微影製程

台積電一直堅稱即使沒有ASML最新的高數值孔徑EUV光刻機，它也能過得很好，並稱它們太昂貴，在2026年之前沒有太大的經濟意義。然而現在看來這家晶片製造商正在重新考慮這一明確的立場，正如其CEO秘密訪問ASML總部所表明的那樣。

台積電的宿敵Intel將自己的生存賭在了在新興的高數值孔徑EUV光刻領域取得不可逾越的領先地位上。事實上首批幾台此類機器都將用於Intel的晶片製造部門。Intel打算在其即將推出的18A (1.8 nm) 製程的參數範圍內試驗高數值孔徑極紫外線 (EUV) 微影技術，  然後將其正式納入其14A (1.4 nm) 製造流程。

相較之下，台積電公開表示其目前的低NA EUV光刻機系列可以支援生產到2026年。奈米片的電晶體管設計，即將推出的A16製程。這家台灣晶片製造商似乎也依賴超級電源軌背面供電（透過晶片背面供電）來提高其產品在人工智慧工作負載方面的效能。


這把我們帶到了問題的癥結所在。 5月26日台積電CEO沒有參加2024年技術研討會，而是秘密訪問了ASML位於荷蘭的總部。根據韓國商報報導，CEO此次訪問的一些細節可以從ASML CEO Christopher Fuke和TRUMPF CEO Nicola Leibinger-Kammüller的社群媒體貼文中了解。

根據台積電的既定計劃該代工晶片製造商僅在推出採用1.6nm的產品後才考慮採用高數值孔徑EUV光刻技術。然而CEO對ASML總部的秘密訪問引發了眾所周知的議論，並且可能是對台積電當前發展軌跡的更廣泛的重新思考。

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