20倍DDR3記憶體晶片的性能，美光宣佈HMC記憶體技術

近日，美光(Micron)發佈了其創新記憶體技術Hybrid Memory Cube（混合記憶體立方體，以下簡稱HMC），並聲稱這是記憶體領域的重要技術突破，其單顆HMC記憶體晶片的性能將是普通DDR3記憶體晶片的20倍。

HMC技術採用的是堆疊封裝技術，將多層DRAM和一層邏輯電路共同封裝，並採用TSV矽穿孔技術進行互聯。其中邏輯電路層其重要作用，其將扮演記憶體控制器的角色，以超高頻寬匯流排與CPU連接。根據美光記憶體業務副總裁Brian M.Shirley表示，如今記憶體已經成為了電腦系統瓶頸之一，但歸根到底是記憶體與CPU之間的匯流排頻寬不足，記憶體晶片的資料無法即使傳送至CPU進行處理。HMC技術將為電腦系統帶來超高的記憶體匯流排頻寬，這方面的系統瓶頸將不再存在。
據稱，HMC記憶體晶片的性能將是DDR3記憶體晶片20倍以上，同時功耗和體積僅現有DRAM記憶體晶片的十分之一。HMC技術將首先應用於超級電腦等高性能領域，預計在2015-2016年進入消費級市場。