Fractal Design ION+ 860P 白金牌電源供應器開箱 / 頂級用料與十年保最耐用 超軟模組線整線容易

身為高階機殼大廠 Fractal Design，在電源供應器的市場上也有所著墨，近期 Fractal Design 發表了新款的高階電源供應器 ION+ 系列。規格方面具備 80 PLUS 白金牌的轉換效率、全模組化、達到 50% 負載風扇才開始轉的設計等等，保固方面更是也比照市場上高階產品的標準，提供十年的保固。

在瓦數方面總共有 560、660、760、860W 可供選擇，同時兼顧中高瓦數玩家的需求與選擇。本次我們所要介紹的是最高瓦數版本的 ION+ 860P，輸出方面在 +12V 的部分最大輸出為 71.6A，剛好就是所標示的 860W。這樣的瓦數可以說是相當適合搭載雙顯卡系統的玩家購買選用。

產品規格一覽:

產品名稱	ION+ 860P
ATX 版本	ATX 12V
功率因數校正	主動式 PFC
輸入電壓	100-240V
輸入電流	10-5 A
輸入頻率	50-60 Hz
尺寸	150 (長) x 150 (寬 )  x 86 (高) mm
風扇尺寸	140 mm
風扇軸承	FDB
80 PLUS 分級	80 PLUS 白金牌
平均故障間隔 (MTBF)	>100,000 hours
保護機制	OVP/OPP/SCP/OCP/UVP/OTP
安規	CE, FCC, TUV, cTUVus, EAC, RCM, CCC, BSMI, CB, RoHS, WEEE
ATX 24 Pin 接頭	1
CPU EPS 接頭	2
SATA 接頭	10
周邊 4 Pin 接頭	4
PCI-e 6+2 Pin 接頭	6

Fractal Design ION+ 860P 開箱

Fractal Design ION+ 系列電源供應器受惠於主動式 PFC 架構，擁有高達 0.99 的 P.F 值表現，能夠減少虛功與能源的浪費，並且在總諧波失真 (THD) 方面的表現能夠更加良好。採用零電壓切換 (ZVS) 的設計能夠有效減少一次側 Mosfet 的開關損耗，增加轉換效率。二次側方面採用 Low RDS(on) 特性的 Mosfet 進行同步整流 (SR)，相較於使用 Schottky Diode 的設計，同樣能夠獲得更好的轉換效率。

外包裝有產品的實拍圖片、各種接頭的數量、輸出能力等等。另外在背面特別介紹了幾個產品的主要特色，例如優質的電性輸出表現、超軟的模組線材、風扇半負載啟動 (Semi-passive Zero RPM) 模式與示意曲線圖。


外包裝正面。


外包裝背面。


外包裝側面。

產品內部與配件一覽。

內部包含電源供應器本體、模組線、電源線、四枚螺絲、魔鬼氈束帶、產品使用說明書。在模組線包裝方面提供了一個收納包，方便玩家收納模組線。當然這個收納包外觀的設計也十分適合拿來做為其他日常的用途。


說明書、魔鬼氈束帶、螺絲。


模組化線材收納包。






模組化線材與電源線一覽。實際量測線材長度，SATA 與 Peripheral (Molex 4 Pin) 的四個插槽長度分別為 42、54、67、80 公分。PCI-E 兩個插槽分別為 57 與 68 公分，CPU EPS 為 73 公分，ATX 20+4 Pin 為 60 公分。

這顆 ION+ Power 另外有個主打的特色就是超軟且容易彎曲的模組線材 UltraFlex DC Wires。筆者第一時間拿到模組線時，確實也認為線材的材質與之前所接觸的其他電源有明顯的差異。較軟的模組線材能夠讓玩家們在整線時更加的便利。


模組線材彎曲情況一覽，可以看到上方的 ION+ UltraFlex DC Wires 可以輕易的打上數個結，而下方它牌的模組線材明顯較硬，也相對比較難以大量的彎曲。

Fractal Design ION+ 860P 電源本體外觀介紹

電源本體方面，外觀採上下兩層的外殼設計。產品型號與輸出貼紙貼於電源前後兩側，方便玩家查看瓦數與輸出功率等資訊。外殼的烤漆質感也相當不錯，整題來說有著十足的高階電源特色的風範。








電源供應器本體一覽。


風扇採內置橫條防護網。


後方電源輸入處採不規則散熱孔洞設計。

Fractal Design ION+ 860P 電源本體拆解與用料解析

這次評測我們將這款 Fractal Design ION+ 860P 的電源進行拆解，以解析內部用料細節給各位玩家看。








外殼拆解一覽，可以看到正面有許多龐大的散熱片協助散熱。背面焊錫做工方面相當不錯，在大電流方面也有進行補強。PCB 底部與外殼有以塑膠片隔開。從初步拆解圖來看可以得知代工廠為協益電子 (SIRTEC)。


在風扇方面採用 Fractal Design 自家的 Dynamic X2 GP-14 FDB 軸承扇。規格方面最大轉速為 2000 RPM、噪音 36.6 dB(A)、氣流量 119.03 CFM、風壓 2.82 mmH2O，並且貼有塑膠導風板將氣流導向電源內部發熱量較大的部件。

一次側 EMI 方面具備 Champion CMD02X X 電容放電 IC，相較於一般使用放電電阻並聯在X電容上的設計，能夠減少電力必須通過電阻而造成的功率損失。這也是許多高階高轉換效率所必備的料件之一。AC 輸入端 (一階 EMI) 方面具備 1 個 Cx 與 2 個 Cy 電容。二階 EMI 位於 PCB 主板上同樣也具備 1 個 Cx 與 2 個 Cy 電容。




電源輸入端一覽，背面可見 Champion CMD02X X 電容放電 IC。


二階 EMI 位於 PCB 板上，包含 1 個 Cx 電容，兩個電感，2 個 Cy 電容。另外保險絲採用臥式安裝並加上熱縮套，電感均有以熱縮套包覆並點膠處理，做工優質。

橋式整流器部分採用兩枚 LITEON GBU1506，並鎖在散熱片上加強散熱。此處亦可見圓柱形 MPE 電容與 MOV 元件。APFC Boost 電感方面採用封閉式 PQ 型磁芯元件。




橋整、MPE 電容、MOV、APFC 電感一覽。

APFC 開關晶體與升壓二極體均鎖在散熱片上加強散熱。APFC 開關晶體型號為英飛凌 IPA60R099P7，APFC 升壓二極體則為英飛凌 IDH08G65C5。


一次側 APFC 相關元件一覽。APFC 開關晶體在 Gate 極上有額外套上磁珠，抑制寄生震盪。


BULK 電容 (APFC 電容) 採用兩枚日系 RubyCon MXH 400V 470μF、耐溫 105°C。

APFC 元件一旁有 NTC 與繼電器，NTC 用以抑制 Inrush Current，而繼電器 (Relay) 會將 NTC 短路，去除 NTC 作用所造成的轉換功率損失。


NTC (綠框) 與繼電器 (橘框) 一覽。

這顆 Fractal Design ION+ 860P 採半橋 (Half-Bridge) 架構，因此主開關晶體會有兩枚，同樣採用英飛凌 IPA60R099P7。


主開關晶體一覽，同樣在 Gate 極上有額外套上磁珠，並且鎖在散熱片上加強散熱。

電源中間的部分為 LLC 電路區，可見 LLC 諧振電感、諧振電容。一旁還有一次側電流 CT (比流器)、驅動隔離變壓器。


LLC 諧振電感 (白框)、諧振電容 (橘框)、一次側電流 CT 比流器 (綠框)、驅動隔離變壓器 (黃框) 一覽。


主變壓器特寫一覽。

一旁 Riser Board 上方分別具有英飛凌 ICE3PCS01G PFC/CCM 控制器、隔離高低壓區避免發生故障導致更大損毀的 HK1019 光耦合器，左側為 SITI PS224 電源管理 IC，提供 OVP、UVP、OCP、SCP 各項輸出保護，維護用電及裝置安全，另外 STC15W408AS 8051單晶片則為用於風扇控制的 IC。


ICE3PCS01G PFC/CCM 控制器 (橘框處)、光耦合器 (黃框處)、SITI PS224 (紅框處)、STC15W408AS (綠框處)。


中間子板可見 Campion CM6901X SLS (整合 LLC/SRC 諧振控制 + SR 同步整流) 的 IC 。

電源二次側方面採用同步整流與 DC-DC 方案。+12V 採用同步整流控制，+5V 與 +3.3V 則採用子板控制。




+12V 同步整流晶體為 8 枚 Infineon BSC010N04LS，位於 PCB 板背面。並且 PCB 正面具有散熱片協助散熱。


+3.3V 與 +5V 採用一枚子板的設計，子板上方均採用固態電容。上方具有一枚茂達 ANPEC APW7159C PWM 控制器，搭配 8 枚 Infineon BSC0906NS MOSFET。

+5VSB 電路方面除了 EM8569D 以外，尚加入 2 枚 Infineon BSC0906NS MOSFET 與 PFC Device P10V45。


Excelliance MOS EM8569D IC 與待機輔助變壓器一覽。


Infineon BSC0906NS x2 位於背面。


PFC Device P10V45 MOS Schottky Rectifier 同樣也位於背面。


-12V 部分透過 KIA 7912 PI 生成。

在電容方面均為日系電容。固態電容方面採用 FPCAP、日本化工的廠牌，電解電容則多為 Rubycon YXG、 日本化工 KY 系列。在使用壽命方面提供一等一的保障。






電容用料一覽，固態電容採用 FPCAP 日系製品，電解方面均採用耐溫 105 °C 的日系製品。


電源模組化接線板正面一覽，模組板上方亦有固態電容增進輸出品質，廠牌型號為日本化工 PSF、FPCAP。

Fractal Design ION+ 860P 電源內部用料簡表

內部用料簡表
架構一次側	半橋 LLC 諧振
架構二次側	DC-DC + 同步整流 (SR)
一次側
橋式整流器	2x LITEON GBU1506 (600V / 15A)
APFC 開關晶體	2x Infineon IPA60R099P7 (600V, 20A @100°C , 0.099Ω @25°C)
APFC 升壓二極體	1x Infineon IDH08G65C5 (650V / 8A)
BULK 電容	2x RubyCon MXH 400V 470μF 105°C
主開關晶體	2x Infineon IPA60R099P7 (600V, 20A @100°C , 0.099Ω @25°C)
APFC 控制 IC	Infineon ICE3PCS01G
二次側
二次側濾波電容
電解電容	Rubycon YXG、Rubycon ZLH、NCC KY
固態電容	NCC PSF、Nichicon FPCAP
同步整流 IC	+12V : CM6901X
同步整流晶體	8x Infineon BSC010N04LS (40V, 100A @100°C , 0.001Ω @25°C)
DC-DC 控制 IC	+3.3V & +5V : 1x Anpec APW7159C
DC-DC 晶體	+3.3V & +5V :   8x Infineon BSC0906NS (30 V, 40 A @100 °C , 0.0045Ω @25°C)
監控 IC	SITI PS224
風扇	Fractal Design Dynamic X2 GP-14 FDB (2000 RPM、36.6 dB(A)、119.03 CFM、2.82 mm H2O)
+5VSB 電路
PWM 待機控制電路
Rectifier	1x PFC P10V45 SBR (45V, 10A) 2x Infineon BSC0906NS (30 V, 40 A @100 °C , 0.0045Ω @25°C)
控制 IC	Excelliance MOS EM8569D

Fractal Design ION+ 860P 電源性能測試 1 : 電壓穩定度

本次測試使用高階的 I9-9900K 平台。並且搭配 AMD Rx Vega 64 與 AMD Rx Vega 56 兩張顯卡進行測試。以確保能夠達到足夠的功耗。

測試平台：
CPU: Intel i9-9900K
RAM: GEIL 白金龍 GWW416GB4000C19DC DDR4 4000 8Gx2
MB: ASUS ROG MAXIMUS XI EXTREME Z390
VGA:
AMD Rx Vega 64 公版 x1
AMD Rx Vega 56 公版 x1
SSD: PLEXTOR M9PeG 512GB M.2 2280 PCIe SSD
PSU: Fractal Design ION+ 860P (測試主角)
OS: Win10 x64 Pro 1809
INPUT VOLTAGE : AC 110V / 60Hz

這次我們將具備電力監測功能的延長線接上電源線，來進行測試。此延長線可同時測得電壓、電流、功率、交流電頻率、Power Factor (P.F.) 值等數值。

量測使用优立得 UT61-E 電表，並使用其附帶的 RS232 Data logging 功能於另一台電腦上記錄數據，以 EXCEL 來製作折線圖表並以 Windows 內置的剪取工具編輯。

測試使用以上配備，使用 AIDA64 Stress FPU、Furmark GPU Stress 對整個平台進行負載測試；一開始先以待機狀態量測 2 分鐘，之後運行上述程式 6 分鐘，再關閉 2 分鐘。每次測試總共約 10 分鐘，以觀察電壓變化。


實際裝機情況一覽。




待機時，110V AC 端耗電約 72.54W。測試時 110V AC 端耗電約 822.4W。另外受惠於主動式 PFC 架構，P.F. 值幾乎都有 0.9 以上。

測試結果如下圖。


CPU EPS 4+4Pin +12V 量測結果。


PCI-E 6+2Pin +12V 量測結果。


ATX 20+4Pin +3.3V 量測結果。


MOLEX 4Pin +12V 量測結果。


MOLEX 4Pin +5V 量測結果。

Fractal Design ION+ 860P 電源性能測試 2 : 溫度實際量測測試

本次測試配備與輸出情況與電壓穩定度測試相同，將電源供應器本體上蓋與風扇拆開，並上機負載 15 分鐘後，以雷射溫度感應槍測試內部各個主要元件的部位。詳細測試點如下方圖片。


測試手法示意圖。


SP1 ~ SP6 測試點一覽。

測量點	部件位置	溫度
SP1	橋式整流器散熱片	93°C
SP2	APFC 晶體散熱片	85.8°C
SP3	一次側主晶體散熱片	70.5°C
SP4	主變壓器	75°C
SP5	二次側 +12V 同步整流晶體散熱片	77.8°C
SP6	二次側 +5V & +3.3V 轉換子板電感	57.7°C

測試數據一覽。

根據內部溫度測試數據，在無風扇高載的情況下，橋式整流器區域溫度最高，達 93 °C 。第二高的溫度點為 APFC 開關晶體與升壓二極體共用之散熱片，溫度為 85.8 °C。再來則是二次側的 +12V 同步整流晶體正面的散熱片，溫度為 77.8 °C。


另外以同樣手法量測電源供應器本體的模組化接頭，溫度最高的地方為 CPU EPS 8Pin 之連接處，約 42.7 °C。PCI-E 6+2 Pin 的連接處也達到相近的 42.5 °C。

Fractal Design ION+ 860P 電源性能測試 心得結論

這款由 Fractal Design 新推出的 ION+ 白金牌電源供應器，在整體架構與用料方面可以說是相當不錯。架構方面採用高階電源所普遍採用的半橋 LLC + SR + DC-DC 的架構。用料方面除了基本的全日系電解與固態電容以外，在無論是一次側還是二次側的開關晶體也都採用英飛凌這種世界大廠的元件。風扇方面使用自家的 Dynamic X2 GP-14 系統風扇，零售價格約台幣 600 多，為電源內部提供優良的散熱性能。

在電壓表現方面，負載吃重最高的 +12V PCI-E，偏離為 0.32%。在高負載下卻還能夠有這樣不到 1% 的表現，遠遠低於 Intel ATX Spec 所要求的 5%，真的可以說是相當亮眼的表現。

另外頗具特色的超軟 UltraFlex DC Wires 模組線材也是個相當不錯的特色，畢竟近期許多機殼廠商所生產的高階機殼幾乎都是全透側玻璃的設計，因此對於機殼內部整線整齊度方面也是越來越多玩家所要求的，採用超軟且容易彎曲的 UltraFlex DC Wires 模組線材能夠有效的讓機殼整線更加輕鬆。

在許多玩家所在意的保固方面，則是提供了長達十年的保固，讓玩家們買一顆就能夠保用十年，可見 Fractal Design 對於這款 ION+ 電源的用料與壽命方面是相當具有信心的。

整體而言，對於想要選購一款高階電源的玩家來說，Fractal Design ION+ 白金牌電源憑藉著上述的優勢與特色，相信可以說是相當優質的選擇。




來源: Fractal Design ION+ 860P 白金牌電源供應器開箱 / 頂級用料與十年保最耐用 超軟模組線整線容易