前一陣子i社發表的 optane 16GB/ 32GB 效能似乎不給力耶!

NAND 用 3D in-process 堆疊, DRAM 打算用 TSV  in-package 堆疊,
看來 DRAM 的容量優勢更容易發揮哦!   按 Hynix, SS 的 10nm DRAM
規劃, 八層 TSV 封裝, 一條  DDR5 DIMM 就能有 2TB 容量.    這樣還需
optane 嗎?

SSD 還是務實的把 3D NAND 做好, 開出容量來.  最重要的是:
使用 5nm 工藝的控制器, 這樣效能才不會差 DRAM 太多.
大約發生在 2019年吧!

i社有無說大話, 等產品市售時, 玩家必然會以 user 觀點評測.
我先說在前, DRAM 都沒有現行 SSD 的 1000倍速度, 何況
是 Flash!?  真有人相信那張投影片說的?