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三星量產eMRAM記憶體：比eFlash快1000倍，功耗更低

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Jenny
發佈時間: 2019-3-7 13:43

正文摘要:

三星在昨日宣佈正式量產首款商用的eMRAM（嵌入式磁隨機存取記憶體），採用三星的28FDS（28nm FD-SOI，耗盡型絕緣層上矽）工藝製造。作為常用的eFlash快閃記憶體技術的發展到了瓶頸期，這種以電荷為儲存基礎方式的記 ...

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