三星HBM3E記憶體因過熱和功耗問題未能通過NVIDIA認證

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發佈時間: 2024-5-25 15:22

三星的HBM3E記憶體未能通過NVIDIA的資格測試，為這家韓國製造商帶來了新的問題。幾週前有關三星HBM製程缺陷的消息浮出水面。非官方消息人士稱這家韓國龍頭的HBM產品未能滿足NVIDIA的期望。然而路透社也重申了這一 ...

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wwchen123 發表於 2024-5-25 16:34:11

名稱有 ice, 結果是 hot!
工藝要再加強! 快把 "正 10nm" 端出來.

10nm 都不知夠不夠用勒.

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