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新一代3D X-DRAM技術亮相，提供比目前DRAM模組10倍的容量

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sxs112.tw
發佈時間: 2025-5-8 22:03

正文摘要:

NEO Semiconductor最近宣布推出兩項全新的3D X-DRAM單元設計－1T1C和3T0C，可望徹底改變DRAM記憶體的現況。這兩種設計分別採用單晶體管單電容和三晶體管零電容的架構，預計將於2026年生產概念驗證測試晶片，並將提供 ...

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